收藏本站
IRLIZ34N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.065
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
–––
–––
0.035 V GS = 10V, I D = 12A ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.046
?
V GS = 5.0V, I D = 12A ?
–––
–––
0.060 V GS = 4.0V, I D = 10A ?
25 V DS = 55V, V GS = 0V
––– I D = 16A
––– R G = 6.5 ?, V GS = 5.0V
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
1.0
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.9
100
29
21
2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 16A ?
μA
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
25 I D = 16A
5.2 nC V DS = 44V
14 V GS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 28V
ns
––– R D = 1.8 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5 –––
7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
880 ––– V GS = 0V
220 ––– pF V DS = 25V
94 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
76
190
22
110
1.3
110
290
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 16A
di/dt = 100A/μs ??
G
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 610μH
R G = 25 ? , I AS = 16A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 16A, di/dt ≤ 270A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz
? Uses IRLZ34N data and test conditions
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLIZ44G MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
IRLL014NTR MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLL2703TR MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRLL2705TR MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLL3303 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
IRLM120ATF MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
IRLML2402TR MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
IRLML2502TR MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
相关代理商/技术参数
IRLIZ34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLIZ44A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA
IRLIZ44G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLIZ44G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLIZ44GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLIZ44N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC FULLPAK
IRLIZ44NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 30A 3PIN TO-220 - Rail/Tube
IRLIZ44NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube